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  • 新一代高帶寬內存HBM3標準發布 支持平臺級RAS可靠性

    來源:快科技

    JEDEC組織今天正式發布了新一代高帶寬內存HBM3的標準規范,編號JESD238。

    HBM3標準繼續在存儲密度、帶寬、通道、可靠、能效等各個層面進行擴充升級,具體包括:

    - 傳輸數據率在HBM2基礎上再次翻番,每個針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps,配合1024-bit位寬,單顆最高帶寬可達819GB/s。

    如果使用四顆,總帶寬就是3.2TB/s,六顆則可達4.8TB/s。

    獨立通道數從8個翻番到16個,再加上虛擬通道(pseudo channel),單顆支持32通道。

    - 支持4/8/12-high TSV硅穿孔堆棧,未來會拓展到16-high——可以理解為4-16顆內部堆疊。

    - 每個存儲層容量8/16/32Gb,單顆容量起步4GB(8Gb 4-high)、最大容量64GB(32Gb 16-high)。

    -支持臺級RAS可靠,集成ECC校驗糾錯,支持實時錯誤報告與透明度。

    - 提升能效,主接口使用0.4V低擺幅調制,運行電壓降低至1.1V。

    NVIDIA、SK海力士、美光、Synopsys等企業都第一時間表達了對HBM3內存的支持。

    早在去年8月,SK海力士就提前發布了首批HBM3產品,單顆容量16/24GB,12-high堆疊,帶寬初期819GB/s,最更是提升到了896GB/s。

    標簽: HBM3 ECC校驗 虛擬通道 傳輸數據率

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